高亮度及白光LED突出的三大优点是节能、环保、寿命长，因而应用领域不断扩大，已进入特种照明领域，因此国内外均投入很大力量进行研究和产业化。国外LED技术和产业的发展，近几年发展非常迅速，特别在蓝光、白光、功率LED以及应用方面均有较大突破。  

    但都集中在几个大集团公司，如日本日亚、丰田合成公司、美国Gree、Lumileds公司和德国Osram公司等。他们申请有关LED的专利有1万多项，形成了高度的技术垄断。在LED产业发展上，韩国和我国台湾后来居上，发展非常迅速，他们的LED产量占世界总量的30%以上。目前LED产量最大是日本。

    近几年来，由于国家及部分地方政府的重视以及与LED行业相关的大学、研究所、企业均在资金、人力、物力方面投入较大，在LED技术上的研究成果及产业化方面均有很大的发展，但与国外先进水平相比还有一定的差距。

    两类高亮度LED增长率逾50%

    近年来我国内地LED产业发展迅速，高亮度及白光LED的发展动态引人注目。高亮度及白光LED是指四元系AlGaInP发红、橙、黄色的LED和GaN基发蓝、绿、紫、紫外光的LED以及由蓝(或紫、紫外)芯片加荧光粉或由多芯片组合而成的白光LED，这两类高亮度LED近年来在我国内地发展非常迅速，增长率均超过50%。

    根据中国光学光电子行业协会光电器件分会的统计和分析估计，2005年全国从事LED的企业(不含外商投资企业)约2000多家，其中外延、芯片的研发和生产单位有30多家，封装企业约600家，应用产品和配套企业有1600多家。从LED的原材料、外延、芯片、封装、应用及相关配套件、设备仪表等，已形成较完善的LED产业链。无论是高亮度芯片或器件，发展速度都非常快，增长率分别超过100%和50%。

    高亮度芯片产量将超120亿只

    LED的核心技术是外延、芯片制造技术，特别是高亮度LED和功率LED的核心技术。有关政府部门及相关大学、研究所、企业均高度重视，投入大量资金、人力加以研究、开发和产业化，主要研究机构有北大、清华、南昌大学、中科院半导体所、物理所、中电13所、华南师大、北京工大、深圳大学、山东大学、南京大学等，在技术上主要解决硅衬底上生长GaN外延层、GaN基蓝光波长漂移、提高内量子效率和出光效率、提高抗光衰能力和功率芯片的散热水平等等。

    目前已研发1W的功率LED芯片可产业化，其发光效率为30lm～40lm/W，最高可达47.5lm/W，单个器件发射功率为150mW，最高可达189mW。南昌大学近年来开展在硅衬底上生长GaN外延材料研究，该成果取得突破性进展，最近通过“863”项目验收，并获得多项有自主产权的国际发明专利。已研发的蓝光芯片发射功率达7mW～8mW，最好为9mW～10mW，芯片成品率为80%，功率LED芯片在350mA下发射功率为100mW～150mW，最好可达150mW。在500mA、1000小时通电试验下，蓝光的光衰小于5%。

    国内LED外延、芯片的主要企业有：厦门三安、大连路美、深圳方大、上海蓝光、上海蓝宝、山东华光、江西联创、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、杭州士蓝明芯、杨州华夏集成，甘肃新天电公司等。