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IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片

2009/9/22/15:40 来源:半导体国际

    IBM宣布已制成32nmSOI嵌入式DRAM测试芯片,并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。

    IBM表示,使用SOI技术可使芯片性能提高30%,功耗降低40%。IBM还表示,基于SOI技术的嵌入式DRAM每个存储单元只有一个单管,和32nm、22nm的片上SRAM相比,具有更理想的密度和速度。

    IBM的这款32nmSOI嵌入式DRAM周期时间可以小于2纳秒,与同类SRAM相比待机功耗降低4倍,软错误率降低1000多倍,功耗也大大减少。

    IBM希望将32nmSOI技术推向更广阔的领域。IBM已经向其代工客户提供32nmSOI技术,ARM正在为该技术开发库,双方的合作将持续到22nmSOI技术。

    IBM的工程师将于12月的IEDM上详细描述32nm和22nm嵌入式DRAM技术。














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