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常忆科技推出全球第一颗256Kbit序列闪存产品

2011/8/30/10:15来源:中电网

    台湾新竹,常忆科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一颗256Kbit序列闪存产品─PM25LD256C。

    市场上既有的序列闪存厂商之技术,由于在小容量产品上已无法有效降低diesize及成本,因此序列闪存产品在业界之最小容量一般只做到512Kbit,惟常忆科技以pFlash的专利设计才能有效降低512Kbit以下容量的Flashdiesize,故决定推出该项业界独有之产品。    

    常忆科技256Kbit序列闪存产品的主要应用市场,是在需要极小容量程序代码或数据存储的运用方面,如NB/PCcam、游戏机、服务器、数字机上盒、数字电视等等原本使用EEPROM32Kbit~256Kbit之应用。在不增加现有接脚数,且能提供极佳读写速度,擦写次数,低耗电量及长期数据保存年限,并帮助系统厂商降低原本较昂贵的EEPROM成本最高可达60%,常忆科技256Kbit序列闪存产品是最合适的选择。    

    藉由PMOSband-to-band-tunnel(BTBT)专利的制程结构,0.18umpFlash在-40度C至105度C可确保在经过20万次擦写后仍可保存资料长达20年。相较同业普遍使用的其它技术,diesize面积约可缩小百分之40,并降低使用功率以及静态电流,故常忆科技之序列闪存在过去十年持续提高出货量及市占率,质量表现在2010全年累计为0.4ppm,更为闪存创下业界品质之标竿。    

    常忆科技已于今年四月推出PM25LD256C样品后,于七月正式量产。相关产品说明请至常忆科技网站查询。    

    以下为PM25LD256C产品之主要功能说明:    

    功能

    容量:256Kbit;符合SerialPeripheralInterface基本协议架构

    抹除单位:4K-byteor32K-byte

    写入单位:256-byteperpage

    工作电压范围:2.7-3.6V

    符合工业级温度范围-40~105’C    

    性能表现

    读取性能表现:Max100MHzforfastread

    写入性能表现(时间):Typical2msperpageprogram

    抹除性能表现(时间):Sector/Block/ChipMax7ms

    耗电表现:Typical1mAactivereadcurrent,Typical10mAprogram/erasecurrent

    擦写次数:Min200,000cycles

    资料保存年限:Min20years    

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