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Diodes:肖特基二极管实现双倍功率密度

http://www.ec.hc360.com2013年07月04日11:09 来源:超越摩尔T|T

    Diodes公司(DiodesIncorporated)推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基(Schottky)二极管,为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积,实现双倍功率密度。

    全新30V及0.2ASDM0230CSP肖特基二极管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盘封装,热阻仅为261oC/W,比DFN0603封装低约一半,有效把开关、反向阻断和整流电路的功耗减半。

    SDM0230CSP的占位面积为0.18mm2,比采用了行业标准的DFN1006及SOD923封装的肖特基二极管节省电路板面积达70%,非常适合高密度的设计。此外,这个器件的离板厚度为0.3mm,相对于其他二极管薄25%,有利于超薄便携式产品设计。

    这款肖特基二极管的最大正向电压十分低,于0.2A正向电流时仅为0.5V,加上在30V反向电压的情况下,漏电流一般低至1.5mA,能够把功耗减到最少,从而延长电池寿命。

责任编辑:李嘉

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