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小改变大不同 揭秘DDR4内存与DDR3区别

http://www.ec.hc360.com2015年02月28日16:19 来源:中关村在线作者:孙玉亮T|T

    DDR3内存自从2007年服役以来,至今已经走过了8个年头。相比Intel的更新换代步伐来说,内存发展可谓相当缓慢。不过好在2014年底,各大厂商纷纷上架DDR4内存产品,起跳频率达到2133MHz,标志着DDR3时代的终结。

    DDR4内存虽然酝酿了很长时间,但是由于DDR4内存标准一直迟迟未公布,厂家宣传也很少,导致网友对DDR4内存了解甚少。那么今天笔者就带着大家提前进入DDR4内存时代。

    DDR4与DDR3内存差异一:处理器

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Haswell-E架构图解

    每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。

    DDR4与DDR3内存差异二:外型

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DDR4金手指变化较大

    大家注意上图,宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

    接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

    DDR4与DDR3内存差异三:参数

    DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。

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默认频率DDR42133CL15

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DDR42133频率下带宽测试:48.4GB/s

    从宇瞻32GBDDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。

    另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。

    DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMDDR4的电压还会降得更低。

责任编辑:刘晓燕

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