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力晶转型新式晶圆代工厂 避开联发科市场垄断

http://www.ec.hc360.com2015年03月31日13:49 来源:DigitimesT|T

    力晶成功转型为晶圆代工厂,更瞄准物联网(IoT)商机推出iRAM解决方案,整合嵌入式快闪存储器(eFlash)、ARM架构处理器芯片和通讯技术成为SoC整合型芯片,预计下半年出货,全面拥抱物联网时代来临。

    力晶现在浑身上下都是“晶圆代工魂”,DRAM产品对力晶而言只是众多布局的一小块,除了继续替台系IC设计公司晶豪、钰创、力积等代工SDRAM芯片,以及协助存储器模组大厂金士顿(Kingston)代工标准型DRAM芯片外,力晶旗下的12吋晶圆厂已经全面拥抱晶圆代工产品线。

    有别于一般晶圆代工厂只专注于生产制造而不涉及设计,力晶比较像是整合元件厂(IDM),同时有设计和制造两个部分,旗下包括面板驱动芯片、电源管理芯片、影像感测器(CIS)、NFC芯片、车用存储器、物联网芯片等,可为客户量身订作客制化芯片,也可以直接提供整合型芯片给客户采购

    迎接物联网时代,台积电、联电、中芯国际半导体等陆续揭橥布局计划,从打造技术平台、制程完整度,到扮演伯乐物色具有潜力的新创公司都是目标。力晶也是默默鸭子滑水,集结旗下制程平台的技术优势,为物联网打造专用的iRAM芯片,成果有机会在2015年浮上台面。

    所谓的iRAM芯片,是集合物联网所需要的三大技术优势,分别为低功耗的ARM架构处理器芯片、嵌入式快闪存储器(eFlash),以及Bluetooth4.0/NFC/Wi-Fi通讯芯片,将这三种技术做成一颗整合型芯片,目前研发进度顺利,传出下半年会进入量产。

    物联网相关芯片极重视低功耗,因此采用ARM架构处理器芯片,台积电、联电、中芯国际等也打造超低功耗制程平台(Ultra-LowPowerPlatform),但属于特殊制程的eFlash技术的重要性,在物联网时代,其实不亚于低功耗扮演的角色。

    半导体业者分析,多数半导体晶圆代工厂在eFlash技术上都不够扎实,尤其是新崛起的大陆半导体厂eFlash技术实力都不够,即使是授权自SST等IP业者以快速取得eFlash技术,也可能因为量产的晶圆片数不够面临技术瓶颈,未来需要更多的量产经验来证明技术的可行性。

    力晶因为一直有NANDFlash芯片产品,因此在整合eFlash技术上已经有一定的基础,在进入此技术领域上相当顺利。

    力晶靠着从存储器厂转型为晶圆代工厂,2014年获利超过新台币100亿元,2015年获利达新台币120亿~130亿元,2016年预计也将获利超过百亿元,创下获利连续3年超过百亿元的纪录,日前向银行团筹组新台币150亿元的贷款,借此终结长期纾困。

    DRAM产业已经走向稳定期,价格起伏有限,经历近期价格修正后,下半年DRAM价格会逐渐趋于稳定,尤其2015年预计有三星电子(SamsungElectronics)GalaxyS6和苹果(Apple)的iPhone6S系列新机问世,将会转用3GB和2GB的MobileDRAM芯片,也带动许多标准型DRAM芯片产能转到MobileDRAM芯片上,带动标准型DRAM芯片跌势趋缓。

    另外,力晶的NANDFlash芯片持续出货,台系存储器厂陆

    续切入低容量的NANDFlash领域,力晶和华邦、旺宏三家台厂成为台湾NANDFlash芯片三剑客,力晶也提供NANDFlash芯片给客户做成MCP芯片,主打智能型手机市场。

责任编辑:王辉

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