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各大厂抢进3D NAND致存储器价格大涨

http://www.ec.hc360.com2017年02月27日09:35 来源:慧聪电子网T|T

    据海外媒体报道,去年下半年以来NANDFlash市场供不应求,主要关键在于上游原厂全力调拨2DNANDFlash产能转进3DNAND,但3DNAND生产良率不如预期,2DNAND供给量又因产能排挤缩小,NANDFlash市场出现货源不足问题,价格也因此明显上涨。

    不过,随着3DNAND加速量产,下半年产能若顺利开出,将成为NANDFlash市场最大变数。

    2DNANDFlash制程持续往1y/1z纳米进行微缩,如三星及SK海力士去年已转进14纳米,东芝及西部数据(WD)进入15纳米,美光导入16纳米等。但因芯片线宽线距已达物理极限,2DNAND技术推进上已出现发展瓶颈,用1y/1z纳米生产的2DNAND并未出现成本效益,因此,NANDFlash厂开始将投资主力放在3DNAND,但也因产能出现排挤,NANDFlash产出量明显减少,导致下半年价格强劲上涨。

    去年NANDFlash价格自第2季开始全面回升,涨势直达年底,主流的SSD价格涨幅超过4成,eMMC价格最高逼近6成,完成出乎市场意料。在此一情况下,原厂为了维持竞争优势,决定加速抢进3DNAND市场,而今年亦成为3DNAND市场成长爆发的一年,产能军备竞赛可说是一触即发。

    以各原厂的技术进展来看,三星去年进度最快已成功量产3DNAND,去年底出货占比已达35%,最先进的64层芯片将在今年第1季放量投片,3DNAND的出货比重将在本季达到45%。另外,三星不仅西安厂全面量产3DNAND,韩国Fab17/18也将投入3DNAND量产。

    包括东芝及WD、SK海力士、美光等其它业者,去年是3DNAND制程转换不顺的一年,良率直到去年底才见稳定回升,生产比重均不及1成。不过,今年开始3DNAND量产情况已明显好转,东芝及WD已开始小量生产64层芯片,今年生产主力将开始移转至64层3DNAND,除了Fab5开始提高投片外,Fab2将在本季转进生产64层3DNAND,Fab6新厂将动土兴建并预估2018年下半年量产。

    SK海力士去年在36层及48层3DNAND的生产上已渐入佳境,M12厂已量产3DNAND,今年决定提升至72层,将在第1季送样,第2季进入小量投片,而韩国M14厂也将在今年全面进入3DNAND量产阶段。

    美光与英特尔合作的IMFlash已在去年进行3DNAND量产,去年底第二代64层3DNAND已顺利送样,今年将逐步进入量产,F10x厂也会开始全面转向进行3DNAND投片。英特尔大陆大连厂则已量产3DNAND,并将在今年开始量产新一代XPoint存储器。

责任编辑:李嘉

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