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三强争锋MWC 高通/三星/联发科手机芯片概略揭秘

http://www.ec.hc360.com2017年03月06日09:37 来源:大半导体网T|T

    高通(Qualcomm)、三星(Samsung)与联发科(MediaTek)三大手机芯片供应商,在近日举行的年度世界移动通讯大会(MWC 2017)上展示了将进驻下一代智能手机产品的最先进数据机芯片以及应用处理器。

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    而今年是iPhone问世十周年,大家都在猜苹果(Apple)即将推出的iPhone8会有什么新功能,从MWC看到的最新技术,我们可以对iPhone8有一些想像──首先就是10纳米制程技术的采用,这在上述三大手机芯片供应商的最新款IC上都已经出现;其次是能支援更快上行/下行连结速度的先进LTE数据机芯片,在这方面以高通领先。

    市场对于iPhone8新功能的猜测还包括将采用OLED显示器、配备支援脸部辨识的前向摄影机,以及红外线发射/接收器等;但实际上,就算对苹果来说,那些花俏的新功能也都是得一步步取得进展,并非一蹴可几。

    联发科企业销售(国际市场)总经理Finbarr Moynihan表示,智能手机市场已经发展到“成熟的中年”,因此要在终端产品上取得大幅度的功能差异化越来越难;但他强调,智能手机SoC设计业者仍然在尽力达成最佳功耗表现与处理性能。

    要在已经成熟的智能手机市场取得差异化,关键功能有哪些?市场研究机构Tirias Research首席分析师Jim McGregor认为,是数据机速度以及多媒体性能(包括GPU、ISP、VPU…等等)。

    多媒体功能是扩增实境/虚拟实境(AR/VR)等最新应用的关键,甚至对运算摄影(computational photography)与人工智能(包括自然语言处理与影像辨识)也很重要;此外McGregor指出,数据机芯片性能也变得至关重要,特别是因为苹果采取双芯片来源策略:“数据机性能不只会影响上行/下行资料速率,也会影响连结可靠性与通话清晰度。”

    以下是三大手机芯片业者在MWC2017发表的智能手机芯片概略:

    高通发表的Snapdragon X20系列LTE数据机,是其第二代Gigabit等级LTE数据机芯片,支援下载速度达1.2Gps的Category18规格,以三星的10纳米FinFET制程生产,号称是产业界最先进、第一款采用10纳米技术的独立数据机芯片。

    三星在MWC发表的是八核心Exynos9系列8895,是该公司第一款采用10纳米FinFET制程的应用处理器;该芯片内建新型的Gigabit等级LTE数据机,支援5频载波聚合(five-carrier aggregation,5CA),资料传输速率最高可达1Gbps(Category16)下行速度(5CA),以及150Mbps(Category13)下行速度(2CA)。

    联发科发表的是可商用的HelioX30处理器,号称是Helio系列的旗舰产品,采用十核心、三丛集(Tri-Cluster)架构,以台积电(TSMC)的10纳米制程生产。Helio X 30包含2颗2.5GHz ARM Cortex-A73、4颗2.2GHz ARM Cortex-A53以及4颗1.9GHz Cortex-A35,并整合了LTE Category10数据机,支援下行3CA、上行2CA的高传输量串流。

    市场研究机构The Linley Group资深分析师Mike Demler表示,联发科也加入10纳米制程阵营特别引人瞩目,不过Helio处理器的设计偏向于诉求平衡,而非强调任何特定功能;三星的Exynos 8895是直接与高通1月发表的Snapdragon 835竞争,联发科的X30直接竞争产品则是高通的Snapdragon 600系列。

    这三家厂商发表的新款芯片都采用了10纳米技术,高通与三星用的是三星的10纳米Fin FET制程,联发科则是采用台积电的10纳米制程。

    英特尔(Intel)、三星与台积电竞相成为10纳米节点的领先者,并积极拉拢苹果与高通等大客户;不过市场猜测,苹果的A11处理器应该会采用台积电的10纳米制程,而有分析师指出,台积电的优势在于先进的整合式扇出封装(Integrated Fan Out,InFO)技术,能达到更低厚度、更高速度与更佳散热性能。

    而高通、三星与联发科在MWC2017发表的最新芯片,也展现了数据机芯片技术在速度方面的激烈竞争。

责任编辑:孙丁磊

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