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联发科7nm旗舰芯片曝光:12核心 今秋发

http://www.ec.hc360.com2017年03月10日14:00 来源:中关村在线T|T

联发科7nm旗舰芯片曝光(图片来自baidu)

联发科7nm旗舰芯片曝光(图片来自baidu)

    北京时间3月10日消息,联发科已经正式推出了旗下10nm制程工艺芯片Helio X30,而且该芯片还是业内第一款10纳米芯片。不过,台积电并不满足于此,因为7nm制程工艺的芯片也将在今年面世。

    最新报道称,台积电计划今年第二季度就风险性试产7nm,2018年量产,而在2019年下半年就会试产5nm。其中联发科的7nm工艺旗舰将首次集成12个CPU核心,比现在的HelioX30又多出两个,但具体设计还不清楚,或许还是至少三个丛簇。

    说实话,10nm会是一个过渡相当快的工艺节点,7nm才是必争之地,无论是三星还是英特尔,均表示将会冲刺7nm和5nm,并在7nm和5nm这两个节点停留更长的时间,毕竟制程越先进工艺越复杂,再进一步会碰到技术瓶颈,需要材料、设备供商和芯片厂商共同努力才能解决。因此,台积电率先踏入7nm的行列,有望更快站稳高地。

    不过就现在来讲,众厂商在10nm上却栽了跟头,即良品率仍是一个需要整个半导体行业解决的问题,否则今年搭载新一代移动处理器的设备都无法顺利出货,无论是联发科Helio X30,华为麒麟970,还是苹果A11等大客户都会遭殃,就连三星10nm打造的高通骁龙835同样如此。对此,联发科负责人朱尚祖不久前表示,今年五六月份X30才能顺利量产。

    台积电对自家的工艺似乎非常有信心,今年年初其总经理刘德音宣称,原本摩尔定律认为技术发展到7纳米就会遭遇瓶颈,但台积电通过立体堆叠架构,让超越摩尔定律不再是神话。他表示,不仅7nm会推出强化版,导入极紫外光(EUV)微影设备,而且5nm预定2019年上半年进行风险性试产,比原定的2020年提前至少半年。至于3纳米,现在已经投入研发当中,未来拉大与英特尔、三星的差距不是问题。

责任编辑:孙丁磊

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