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LED与化合物半导体前景佳

http://www.ec.hc360.com2017年03月24日10:00 来源:中电网T|T

    LED:新型衬底与Micro LED是发展新动力在行业经历疯狂之后,LED产业逐步平稳,产业转移、产能过剩、新技术挑战等等因素都使得深耕LED的产业人士,特别是处于LED最大市场的中国企业家、专家不得不寻找产业的新增长点——寻找优良的衬底技术与发展Micro LED。在衬底技术方面,硅衬底材料的出现是结合了导热性、成本低、工艺成熟等优势的融合。发展硅衬底技术能进一步推动LED照明技术革新。

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    Micro LED为LED技术的微型化和矩阵化。在智能终端小型化、物联网时代趋势带动下,Micro LED成为平板显示界的新热点。

    化合物半导体是未来核心材料从2000年开始,化合物半导体市场逐步扩大,以砷化镓(GaAs)、氮化镓、碳化硅为首的半导体材料应用增多。第三代半导体是以GaN、Sic与ZnO,由于其极高的光电转化效率,多制备成宽禁带、高功率、高效率的微电子、电力电子、LED光电等器件。由于氮化镓的应用范围主要在中低功率产品,相关机构由此预估,氮化镓半导体材料在2015年2021年期间成长率达到83%,其中电源应用占比较大,达到近60%;相比而言,碳化硅由于市场空间小,成长相对缓慢,成长率在21%左右。全球各大厂商都在布局化合物半导体产业链,在功率器件、射频器件,与终端消费电子领域有极大市场。我国作为相关器件的消费大国,通过提升制造能力,正以全新姿态往化合物半导体方向布局。

责任编辑:孙丁磊

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