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内存供需吃紧 至少持续到年底

http://www.ec.hc360.com2017年04月06日17:41 来源:大半导体产业网T|T

    内存市况热,不但DRAM供需出现吃紧情况,业界估计,目前有钱也不一定买得到的NAND Flash部分规格产品,供需缺口最少到年底,而且如果下半年苹果iPhone8卖得太好,相关缺口将会更为扩大,价格也易涨难跌。

    业者指出,可预期NAND Flash今年的供需都会非常吃紧。现在TLC产品呈现大缺货状态,2D的TLC在原厂逐渐转进3DNAND之后,供给量持续变少,而且大概都供货给苹果,至于3D TLCNAND,目前有48层堆栈产品,但正在转进64层堆栈的过程中。

    同时,业界认为,3DT LCNAND新产品供给量从第2、3季起会逐渐增加,不过变量是苹果iPhone8即将推出,届时如果销售量超乎预期,对于NANDFlash的消耗量会很大,市场供需吃紧的情况就很难改善。

    目前业界大多分析NAND Flash缺货情况最少延续到今年底,甚至有可能会缺到明年第1季。至于价格方面,可能今年都会维持在高档,不会有回跌的迹象。

    至于在DRAM方面,虽然供需缺口不若NAND Flash来得大,业界表示,第2季应当会延续第1季的价格上涨态势。业者认为,DRAM市况供需稍有吃紧,缺口约2%至3%,主要是因为DRAM三巨头今年都以提高新制程产出为主,并未大幅扩增产能。

    而在需求端,各类DRAM的库存都处于低水位,手机与服务器的搭载量都持续增加,中高端智能机的主存储器容量约为4GB至6GB,旗舰机则上看8GB,持续推动DRAM需求成长。

    同时,服务器市场需求仍维持强劲,高端笔记本新机的内存标准配备从8GB起跳。另外,4K电视渗透率提高、机顶盒、网络相机、智能表、车工规应用需求也热络,都推升DRAM搭载量。

责任编辑:孙丁磊

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