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快速 150V 高压侧 N沟道 MOSFET驱动器

http://www.ec.hc360.com2017年07月11日14:01 来源:电子产品世界T|T

    亚德诺半导体(AnalogDevices,Inc.,简称ADI)旗下凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7001,该器件以高达150V电源电压运行。其内部充电全面增强了外部N沟道MOSFET开关,使其能够保持无限期接通。LTC7001强大的1Ω栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和35ns传播延迟,非常方便地驱动栅极电容很大的MOSFET,因此很适合高频开关和静态开关应用。

    LTC7001用来接收以地为基准的低压数字输入信号,并快速驱动一个漏极电压可能在0V至135V(绝对最大值为150V)之间的高压侧N沟道功率MOSFET。LTC7001在3.5V至15V的驱动器偏置电源范围内运行,具可调欠压闭锁。当驱动一个1000pF负载时,快速13ns上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。

    LTC7001采用MSOP-10封装,其引线配置为提供高压间隔。该器件有3种工作结温级版本,扩展和工业级版本的温度范围为–40°C至125°C,高温汽车级版本则为–40°C至150°C,军用级版本为–55°C至150°C。千片批购价为每片2.40美元。

快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器

    照片说明:快速150V高压侧N沟道MOSFET静态开关驱动器

    性能概要:LTC7001

    ·宽VIN工作范围:0V至135V(150V绝对最大值)

    ·内部充电泵以实现100%占空比能力

    ·1Ω下拉、2.2Ω上拉以实现快速接通和断开时间

    ·快速35ns传播延迟

    ·可调接通转换率

    ·3.5V至15V栅极驱动器电源

    ·可调驱动器电源VCC欠压闭锁

    ·可调VIN过压闭锁

    ·CMOS兼容输入

责任编辑:马兰

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