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次5nm 2D材料可望突破摩尔定律限制?

http://www.ec.hc360.com2017年07月21日10:51 来源:eettaiwanT|T

    根据比利时研究机构Imec指出,设计人员可以选择采用2D非等向性(颗粒状速度更快)材料(如黑磷单层),让摩尔定律(Moore’sLaw)扩展到超越5奈米(nm)节点。Imec研究人员在SemiconWest期间举办的年度Imec技术论坛(ImecTechnologyForum)发表其最新研究成果。

次5nm 2D材料可望突破摩尔定律限制?

Imec开发的次5nm2D通道场效电晶体(FET)架构,显示堆叠闸极和原子薄层结构(来源:Imec)

      Imec展示的研究计划专注于实现高性能逻辑应用的场效电晶体(FET),作为其CoreCMOS计划的一部份。Imec及其合作伙伴分别在材料、元件与电路层级实现协同最佳化,证实了在传输方向上可使用具有较小有效质量之2D非等向性黑磷单层的概念。这种黑磷夹层于低k电介质的介面层之间,并在高k电介质之上部署堆叠的双闸极,以控制原子级的薄层通道。

      Imec展示了10nm节点的协同最佳化方案,并表示该架构可以使用半伏特(<0.5V)的电源和小于50埃(0.5nm)的有效氧化物厚度,使其FET在5nm节点以后持续扩展摩尔定律,以实现高性能逻辑应用。

      研究人员预测,所展示的架构、材料和协同最佳化技术将有助于产生可靠的FET,且其厚度可一直降低至单原子级,闸极长度短于20埃,推动奈米线FET持续进展成为FinFET的接班技术。Imec目前正评估除了黑色荧光粉以外的其他材料作为主要的备选技术,将奈米线FET延伸到原子级2D通道。

      根据Imec,除了为FET延续摩尔定律的微缩规律以外,2D材料还有助于加强光子学、光电子学、生物感测、能量储存和太阳光电的发展。

      Imec的研究伙伴包括来自比利时鲁汶天主教大学(CatholicUniversityofLeuven)和义大利比萨大学(PisaUniversity)的科学家。这项研究的赞助资金来自欧盟(EU)的石墨烯旗舰(GrapheneFlagship)研究计划以及ImecCoreCMOS计划的合作伙伴,包括GlobalFoundries、华为(Huawei)、英特尔(Intel)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、三星(Samsung)、SK海力士(SKHynix)、SonySemiconductorSolutions和台积电(TSMC)共同赞助了这项计划。

      有关这项研究的更多资讯刊载在《自然》(Nature)科学报导的「基于FinFET的2D材料-设备-电路协同最佳化可实现超大型技术制程」(Material-Device-CircuitCo-optimizationof2DMaterialbasedFETsforUltra-ScaledTechnologyNodes),Imec并在文中提供了为次10nm晶片高性能逻辑晶片选择材料、设计元件和最佳化性能的指导原则。Imec解释,在闸极长度低于5nm的情况下,与闸极堆叠有关的2D静电特性所带来的挑战,更甚于2DFET材料直接源极到漏极的穿隧作用。

责任编辑:马兰

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