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全桥系统封装内建MOSFET、闸极驱动器和保护技术

http://www.ec.hc360.com2017年12月15日09:44 来源:集微网T|T

    采用系统级封装(SiP)的完整全桥电路,可节省60%的电路板空间、简化设计并精简组装。

全桥系统封装内建MOSFET、闸极驱动器和保护技术

全桥系统封装内建MOSFET、闸极驱动器和保护技术

    意法半导体(STMicroelectronics,ST)的PWD13F60系统封装(SiP)产品在一个13mmx11mm的封装内整合了完整的600V/8AMOSFET全桥电路,能够为工业马达驱控制器、整流器、电源、功率转换器和逆变器厂商节省物料成本和电路板空间。

    相较于采用其他离散元件设计的全桥电路,其可节省60%的电路板空间,PWD13F60还能提升最终应用功率的密度。通常市面上销售的全桥模组为双FET半桥或六颗FET三相产品,但PWD13F60则整合了四颗功率MOSFET,是一个高效能的替代方案。有别于其他产品,仅需一个PWD13F60即可完成单相全桥设计,这让内部MOSFET元件不会被闲置。新全桥模组可灵活地配置成一个全桥或两个半桥。

    透过意法半导体的高压BCD6s-Offline制程,PWD13F60整合了功率MOSFET闸极驱动器和上桥臂驱动自举二极体,其设计的好处是简化电路板设计、精简组装过程,而且节省外部元件的数量。闸极驱动器经过优化和改进,取得高切换的可靠性和低EMI(电磁干扰)。该系统封装还有交叉导通防护和欠压锁保护功能,有助于进一步降低占位元之面积,同时确保系统安全。

    PWD13F60的其他特性包括最低6.5V的宽工作电压、配置灵活性,以及让设计简易性得到最大限度的提升。此外,新系统封装输入针脚还能接受3.3V-15V逻辑讯号,连接微控制器(MCU)、数位讯号处理器(DSP)或霍尔传感器将变得十分容易。

责任编辑:陈彩霞

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