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高通与三星签十年合约 骁龙芯片将基于三星7nm EUV工艺打造

http://www.ec.hc360.com2018年02月23日09:34 来源:集微网T|T

    今日三星官网发布新闻稿,三星、高通宣布扩大晶圆代工业务合作,包含高通下一代5G移动芯片,将采用三星7纳米LPP(Low-PowerPlus)极紫外光(EUV)制程。

    新闻稿指出,通过7纳米LPPEUV工艺,骁龙(Snapdragon)5G芯片组可减少占位空间,让OEM厂有更多使用空间增加电池容量或做薄型化设计。除此之外,结合更先进芯片设计,将可明显增进电池续航力。

    该合作计划将长达十年,三星将授权“EUV光刻工艺技术”给高通使用,其中包括使用三星7纳米LPPEUV工艺技术制造未来的Snapdragon5G移动芯片组。

    

    去年五月,三星推出了首款使用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术7LPPEUV,预期可借此突破摩尔定律的扩展障碍,为单纳米半导体技术的发展铺平道路。对照10纳米FinFET制程,三星的7纳米LPPEUV工序较少、良率较高,而且面积效率提高40%,性能提高10%,功耗降低35%。

高通与三星签十年合约 骁龙芯片将基于三星7nm EUV工艺打造

高通与三星签十年合约 骁龙芯片将基于三星7nm EUV工艺打造

    另外,三星位于华城市(Hwaseong)的7纳米厂本周五将动土,预计最快明年量产,但预料赶不上当年度GalaxyS10与Note10的上市时程。

    韩国媒体20日报道称,三星计划投入6兆韩圜(相当于56亿美元)升级晶圆产能。位于华城市的晶圆新厂将安装超过10台EUV光刻设备,由于每台EUV设备要价皆多达1,500亿韩圜,因此仅采购机台费用就达到3~4兆韩圜。此外三星6nm晶圆厂的建设计划,也将在近期公布。

    相较之下,台积电今年已开始试产7nm芯片,预定第2季为联发科推出芯片原型,并于明年初开始全力量产。

    台积电采用5nm先进制程的12寸晶圆厂今年1月26日正式动土,预计第一期厂房明年第一季即可完工装机、2020年年初进入量产。台积电公告指出,待2022年第一、二、三期厂房皆进入量产时,年产能预估可超过100万片十二寸晶圆。

责任编辑:陈彩霞

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