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长江存储推出全新3D NAND架构:XtackingTM

http://www.ec.hc360.com2018年08月08日11:31 来源:慧聪电子网T|T

    中国,武汉,北京时间2018年8月7日,作为NAND行业的新晋者,长江存储科技有限责任公司(以下简称:长江存储)今天公开发布其突破性技术——XtackingTM。该技术将为3DNAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。

    采用XtackingTM,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。

    闪存和固态硬盘领域的知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师GregoryWong认为:“随着3D NAND更新换代,在单颗NAND芯片存储容量大幅提升后,要维持或提升相同容量SSD的性能将会越来越困难。若要推动SSD性能继续提升,更快的NANDI/O速度及多plane并行操作功能将是必须的。”

    长江存储CEO杨士宁博士表示:“目前,世界上最快的3DNANDI/O速度的目标值是1.4Gbps,而大多数NAND供应商仅能供应1.0Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技术我们有望大幅提升NANDI/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”

    传统3DNAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。随着3DNAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3DNAND更高的存储密度。

    XtackingTM技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势,实现了并行的、模块化的产品设计及制造,产品开发时间可缩短三个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短3DNAND产品的上市时间。此外,这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。

    长江存储已成功将XtackingTM技术应用于其第二代3DNAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产阶段。通过与客户、行业合作伙伴和行业标准机构的合作,XtackingTM技术将应用于智能手机、个人计算、数据中心和企业应用等领域,并将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。

    关于长江存储

    长江存储成立于2016年7月,是一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的存储器解决方案企业,总部位于湖北武汉。长江存储为全球客户提供先进的存储产品和解决方案,广泛应用在移动通信,计算机,数据中心和消费电子等领域。

    长江存储借助全资子公司武汉新芯超过10年的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造经验基础,采取自主研发与国际合作双轮驱动模式,已于2017年研制成功了中国的第一颗3DNAND闪存芯片。长江存储凭借全球分布的研发中心和超过3000名国际化员工,力争凭创新实力成为世界一流的3DNAND闪存产品供应商。

    更多资讯:

    如果要安排与长江存储科技有限责任公司在FMS的会面,请联系:sales_ymtc@ymtc.com

    有关FMS活动详情,请访问:www.flashmemorysummit.com

    访问长江存储官方网站:www.ymtc.com

责任编辑:刘婷婷

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