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SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成:8Gb容量、功耗减少15%

http://www.ec.hc360.com2018年11月13日14:01 来源:快科技T|T

    11月12日消息,SKHynix(SK海力士)宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。技术指标方面,相较于1Xnm,1Ynm芯片的生产率提高了20%,功耗降低了15%。

    SK海力士还表示,新的1Ynm芯片还显著提高了传感器精准度、调整了晶体管结构,使得数据传输的出错率降低。

    官方称,1YnmDDR4DRAM芯片将于明年一季度出货,率先用于服务器和PC产品上,最后向手机等领域推广。

    科普:

    在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后,厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了,20nm之后是1xnm工艺,再往后则是1ynm工艺,还有1znm工艺的说法,至于XYZ具体的含义,由于每家公司的工艺并不一样,所以缺少详细的解释。

    

责任编辑:刘婷婷

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