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晶圆代工大乱斗 高端局只剩三星VS台积电

http://www.ec.hc360.com2018年11月15日11:58 来源:DigitimesT|T

    晶圆代工领域10nm已成分水岭,随着英特尔的10nm制程久攻不下,联电和格芯相继搁置7nm及以下先进制程的研发后,10nm以下的代工厂中只有三星在继续与台积电拼刺刀。


  10nm以上的晶圆代工市场则继续由台积电、英特尔、格芯和三星分食,而大陆最大晶圆代工厂中芯国际目前的14nm已进入客户导入阶段,预计最快明年量产,届时也会凭借14nm工艺进入晶圆代工的第二梯队中去。

晶圆代工大乱斗 高端局只剩三星VS台积电



  务实的台积电

  10nm以下的先进制程,台积电和三星采取了不同的策略。

  在7nm技术路线的选择上,台积电务实地在第一代放弃EUV(极紫外光刻)技术,同时马上整合扇出封装技术提升可靠度,最终使得自己的进度超越三星,从而赢下包括华为、AMD、苹果等一众关键客户。与之前的10nmFinFET制程相比,台积电的7nmFinFET实现了1.6倍的逻辑密度和20%的速度提升,以及40%的功耗减少。

  在第二代7nm工艺(CLNFF+/N7+),台积电首次应用EUV,不过仅限四个非关键层,以降低风险、加速投产,也借此熟练掌握ASML的新式光刻机TwinscanNXE。相较于第一代7nmDUV,台积电表示能将晶体管密度提升20%,同等频率下功耗可降低6-12%。

  除了在市场上风生水起的7nm技术,台积电的5nm工艺也已被提上日程,明年四月将进行风险性试产。台积电指出,5nm制程光是人工与知识产权的授权费用,加起来的总合成本就高达2到2.5亿美元

  激进的三星

  三星的策略是直入主题,抢进EUV技术加持的7nm。

  目前三星的7nmLPP(LowPowerPlus)制程已进入量产阶段,并在工艺中成功应用极紫外光(EUV)微影技术。7nmLPP工艺相比上一代10nmFinFET的面积减少了40%,性能提升20%,耗电减少50%,消耗的掩膜也减少了20%,因此,采用三星7nm工艺的客户可以减轻设计和费用方面的负担。

  另外,位于韩国华城市的S3厂EUV产线已初步投产,三星计划2020年将再新设一条EUV产线,以服务高需求客户。预计三星的7nmLPP工艺的大规模投产会在明年下半年开始,而7nmEUV的加强版——6nm制程,计划在2020年以后出现。

  难产的英特尔

  埋头苦干的英特尔对于三星和台积电的这场较量也只能望尘兴叹。

  英特尔10nm持续难产主要原因是过于坚持整合的模式,不同于对手选择ARM架构,英特尔坚持利用制造能力创造更有效率的x86芯片。而在非通用处理器部分,英特尔GPU为Larrabee架构,一样是基于x86的图形芯片,但却没有考量到不同应用环境所需GPU的性能差异。

  尽管英特尔曾表示自己的10nm工艺远超远超友商台积电和三星的7nm,但实际拿出的基于CannonLake的Corei3-8121U连核显都没有,同频性能和能耗比甚至不如目前的14nm。

责任编辑:刘婷婷

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