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中美贸易摩擦影响 大陆2间DRAM大厂发展脚步明显放缓

http://www.ec.hc360.com2019年05月15日10:26 来源:芯科技T|T

    据集邦科技存储器储存研究(DRAMeXchange)指出,由于中美贸易摩擦影响,大陆2间DRAM大厂发展脚步明显放缓,其中,NANDFlash发展主力厂长江存储今年底前将正式量产64层Xtacking3DNAND产品,而随其2020年逐步扩冲产能,预计将对全球NANDFlash市场供应与价格带来冲击。

    集邦指出,长江存储已于第一季送样给部分客户及控制器(MCU)厂商,初期着重国内市场销售,且已完成武汉厂的建设,并小量投产32层产品,待64层正式量产后,产能扩张将转趋积极。

    市场人士则认为,该公司2020年后预计逐步扩大产能,预估明年底至少达每月60000片投片量,尽管相对其他竞争者产能并不大,但预估仍将冲击NANDFlash市场价格持续下跌。

    集邦分析认为,大陆新开产能以达成自给的目标相当明确,而其他国际厂商亦各自有新厂以因应2020年后的竞争,包含三星的西安二期,东芝的岩手县新厂,美光的新加坡三厂,SK海力士M15厂的剩余空间加上后续的M16厂房等,在各厂产能提升后,价格竞争恐将更为激烈。

    另外,若以主要6大供应商发展情形而言,目前主流出货多在64,72层产品,并已量产至92,96层产品,提供客户UFS,SSD等产品进行导入,然而,今年市况不稳,供应商自去年年底逐步调降资本支出并调整扩产时程,甚至有部分供应商决定减产,则导致新制程比重成长速度趋缓。

    但反观长江存储发展规划,在推出64层产品后,长江存储将直攻128层以缩减与其他供应商之间差距,集邦认为,尽管长江存储在技术发展上仍与主要供应商有相当差距,但未来对市场的影响恐势难抵挡。

责任编辑:刘婷婷

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