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三星计划2021年推GAA技术3纳米制程

http://www.ec.hc360.com2019年05月21日09:46 来源:21IC中国电子网T|T

    在先进制程的发展上,台积电与三星一直有着激烈的竞争。虽然,台积电已经宣布将在2020年正式量产5纳米制程。不过,三星也不甘示弱,预计透过新技术的研发,在2021年推出3纳米制程的产品。根据三星表示,其将推出的3纳米制程产品将比当前的7纳米制程产品效能提升35%,能耗也再降低50%,而且芯片的面积也再减少45%。

    根据外媒报导,三星14日于美国加州所举办的晶圆制造论坛(SamsungFoundryForum)上宣布,目前三星正在开发一项名为?环绕栅极(gateallaround,GAA)?的技术,这个被称为当前FinFET技术进化版的生产技术,能够对芯片核心的晶体管进行重新设计和改造,使其更小更快。三星指出,预计2021年透过这项技术所推出的3纳米制程技术,将能使得三星在先进制程方面与台积电及英特尔进行抗衡,甚至超越。而且,能够解决芯片制造缩小过程中所带来的工程难题,以延续摩尔定律的持续发展。

    而根据国际商业战略咨询公司(InternationalBusinessStrategies)执行长HandelJones表示,目前三星正透过强大的材料研究让晶圆制造技术获得发展。而在GAA的技术发展上,三星大约先于台积电1年的时间,而英特尔封面则是落后三星2到3年。三星也强调,GAA技术的发展能够期待未来有更好的图形技术,人工智能及其他运算的进步,以确保未来包括智能型手机、手表、汽车、以及智慧家庭产品都能够有更好的效能。

    事实上,之前三星就宣布将在未来10年内投资1,160亿美元来发展非存储器项目的半导体产业,以成为未来全球的半导体产业霸主。其中,透过GAA技术发展的3纳米制程技术就是其中重要的关键。三星希望藉此吸引包括苹果、NVIDIA、高通、AMD等目前台积电客户的青睐,以获取更多晶圆生产上的商机。

责任编辑:陈家慧

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