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SK海力士宣布:全球128层4D NAND下半年开卖

http://www.ec.hc360.com2019年06月27日09:14 来源:芯科技T|T

    SK海力士于26日宣布,将量产全球128层的1Tb(Terabit)TLC4DNAND闪存,并计划下半年开始销售。

    这是SK海力士去年10月发表96层4DNAND后,时隔8个月再次发表新产品。据韩媒《朝鲜日报》报导,SK海力士为使用TLC设计(每个Cell单元上安装3bit)开发新产品,应用垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术,制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品,不仅达到高堆栈数,也超越三星电子量产的90层NAND。

    虽然先前已有96层QLC1Tb规格的产品,但TLC的性能、处理速度皆优于QLC,在NAND市场中,TLC产品市占率更达85%。因此SK海力士以TLC技术开发出高容量NAND,备受外界关注。

    特别的是,虽然该产品将原本96层NAND产品增加32层,制程手续却减少5%,加上128层4DNAND的每硅片位元生产率比96层4DNAND高4成,即使不使用PUC技术(外围电路),128层4DNAND的位元生产率仍然能提高15%以上。SK海力士对此说明,通过此方式能节省转换新制程的花费,和上一代转换投资费用相比,约能减少6成。《朝鲜日报》指出,这是SK海力士活用去年10月开发的4DNAND工艺平台,并优化制程的成果。

    SK海力士计划下半年开始销售128层4DNAND闪存。SK海力士相关人士表示,该产品即使在低电压(1.2V)环境,也能达到1400Mbps数据传输速度,适合应用在高性能、低耗电的移动解决方案,以及企业用SSD(固态硬盘)中。

    

责任编辑:刘婷婷

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