慧聪物联网 | 慧聪智能硬件网 | 慧聪新能源网 | 慧聪LED网 | 慧聪电气网 | 慧聪安防网 | 慧聪IT网 | 慧聪变频器网
特惠新品微信
投稿
热门推荐:传感器专栏 | 半导体专栏 | 晶振专栏 | 电容器专栏 | 威腾网 | 买芯片 采购 | 唯样商城 | 中国电子展 | 2018品牌盛会TOP10榜单

慧聪电子网首页 > 行业资讯 > 市场点评 > 市场透视 > 正文

分享到

四千亿元扩增内存工厂?美光:没打算扩增内存产能

http://www.ec.hc360.com2019年08月29日09:16 来源:驱动之家T|T

    日前有报道称,美光将在中科园区投资4000亿新台币(约合900多亿人民币)建设A3、A5两座晶圆厂,预计今年Q4季度开始生产先进的1Znm工艺DRAM内存芯片,规划的产能高达6万片晶圆/月。

    在当前内存价格连跌了三个季度、市场供需面临不确定时,美光此时大举增加投资扩产内存产能,此举被业内人士视为内存价格进一步下滑的开始。

    不过美光方面回应称,A3工厂预计明年Q4季度完工,主要是扩建了无尘室,A5工厂目前还在寻找地点,尚无具体规划,投资金额也不便透露。

    美光强调,目前在全球的产能布局原则仅仅是提升制程工艺,是提升存储产品的容量,但不会增加晶圆投片数量,换句话说就是美光增加内存投资也只是为了提升产品的容量,提高自家产品的竞争力,但是晶圆产能并不会增加,市场上的供需情况不会因为这些投资而变。

    在扩建内存产能之前,美光前几天还扩建了位于新加坡的Fab10A闪存工厂,新盖了无尘室等生产设施,提高了Fab10晶圆厂的生产灵活性,但美光同样强调并不打算增产NAND,通过资本开支调整、技术转换等方式,Fab10厂区的总产能不变。

    

责任编辑:刘婷婷

声明:本网站中,来源标明为“ 慧聪电子网”的文章,转载请标明出处。

欢迎投稿,邮箱:yusy@hc360.com

友情链接

申请友情链接

赛迪网 RFID世界网电子信息产业网畅享网与非网电子产品世界中电网威腾网慧聪家电网慧聪IT网慧聪安防网

慧聪电子网总部

广州市越秀区东风东路745号紫园商务大厦19楼

慧聪电子网分部

深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座2106

关于我们 | 加入我们 | 我要投稿
| 寻求报道 | 申请合作

Copyright?2000-2014 hc360.com. All Rights Reserved
京ICP证010051号 海淀公安局网络备案编号:11010802015485