慧聪物联网 | 慧聪智能硬件网 | 慧聪新能源网 | 慧聪LED网 | 慧聪电气网 | 慧聪安防网 | 慧聪IT网 | 慧聪变频器网
特惠新品微信
投稿
热门推荐:传感器专栏 | 半导体专栏 | 晶振专栏 | 电容器专栏 | 威腾网 | 买芯片 采购 | 唯样商城 | 中国电子展 | 2018品牌盛会TOP10榜单

慧聪电子网首页 > 技术文章 > 生产与工艺 > 表面安装技术 > 正文

分享到

ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

http://www.ec.hc360.com2019年09月24日18:45 来源:慧聪电子网T|T

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiCMOSFET“SCT3xxxxR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。

    此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiCMOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。

    另外,罗姆也已开始供应SiCMOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。

    本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量产(样品价格2,100日元起,不含税)。生产基地为ROHMApolloCo.,Ltd.(日本福冈)。此外,本系列产品和评估板已于2019年9月起开始网售,可从AMEYA360、icHub购买。

1

    近年来,随着AI和IoT的发展与普及,对云服务的需求日益增加,与此同时,在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展,而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面,以往服务器的功率转换电路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiCMOSFET,与以往封装相比,可降低开关损耗,因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。

    2015年,ROHM于全球成功实现沟槽栅结构SiCMOSFET的量产,并一直致力当先于行业的产品开发。此次新开发出650V/1200V耐压的低损耗SiCMOSFET,未来也会继续推进创新型元器件的开发,同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案,为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。

ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

    <特点>

    采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗降低约35%

    在传统的3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感分量※2)会引起栅极电压下降,并导致开关速度延迟。

    此次,SCT3xxxxR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,因此,可减少电感分量的影响。这样,能够充分地发挥出SiCMOSFET的高速开关性能,尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。

  <产品阵容>

    SCT3xxxxR系列是采用沟槽栅结构的SiCMOSFET。此次新推出了共6款机型,其中包括650V的3款机型和1200V的3款机型。

      

1

  <应用>

    服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。

  <评估板信息>

    SiCMOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境,该评估板不仅可以评估TO-247-4L封装的产品,还可安装并评估TO-247N封装的产品。另外,使用该评估板,可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。

    

    

开始销售时间2019年9月

    评估板型号P02SCT3040KR-EVK-001

    网售平台AMEYA360、icHub

    支持页面https://www.rohm.com.cn/power-device-support

P02SCT3040KR-EVK-001

  <术语解说>

    ※1沟槽栅结构
沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻,比平面结构更容易实现微细化,有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。
 
    ※2电感分量
表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。

责任编辑:刘婷婷

声明:本网站中,来源标明为“ 慧聪电子网”的文章,转载请标明出处。

欢迎投稿,邮箱:yusy@hc360.com

友情链接

申请友情链接

赛迪网 RFID世界网电子信息产业网畅享网与非网电子产品世界中电网威腾网慧聪家电网慧聪IT网慧聪安防网

慧聪电子网总部

广州市越秀区东风东路745号紫园商务大厦19楼

慧聪电子网分部

深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座2106

关于我们 | 加入我们 | 我要投稿
| 寻求报道 | 申请合作

Copyright?2000-2014 hc360.com. All Rights Reserved
京ICP证010051号 海淀公安局网络备案编号:11010802015485