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贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器 高频应用的好选择

http://www.ec.hc360.com2019年09月29日11:00 来源:慧聪电子网T|T

    2019年9月26日–专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开始备货Texas Instruments(TI)LMG1210200V半桥MOSFET和GaNFET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓(GaN)电源产品系列,与传统硅替代方案相比,拥有更高的效率与功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。

贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器 高频应用的好选择

TILMG1210是一款50MHz半桥驱动器,经过特别设计,能与电压高达200V的增强模式GaNFET搭配使用。LMG1210能实现超高性能与高效运行,并具有10ns的超短传播延迟,优于传统硅半桥驱动器。此器件还具有1pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制,可让设计人员优化系统内的死区时间,进而改善效率。

LMG1210拥有3.4ns高侧/低侧延迟匹配、4ns最小脉宽和内部LDO,可确保在任何电源电压下都能维持5V的栅极驱动电压。本驱动器还具备超过300V/ns的业内超高共模瞬态抗扰度(CMTT),可实现较高的系统抗扰性。

TILMG1210驱动器适用于高速DC/DC转换器、电机控制、D类音频放大器、E类无线充电RF包络跟踪以及其他功率转换应用。

责任编辑:刘婷婷

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