慧聪物联网 | 慧聪智能硬件网 | 慧聪新能源网 | 慧聪LED网 | 慧聪电气网 | 慧聪安防网 | 慧聪IT网 | 慧聪变频器网
特惠新品微信
投稿
热门推荐:传感器专栏 | 半导体专栏 | 晶振专栏 | 电容器专栏 | 威腾网 | 唯样商城 | 中国电子展 | 2019品牌盛会TOP10榜单

慧聪电子网首页 > 行业资讯 > 国内资讯 > 正文

分享到

台积电5nm晶体管密度比7nm提高88%

http://www.ec.hc360.com2020年03月24日11:13 来源:快科技T|T

   

53

    一般来说,官方宣传数据都是最  理想的状态,有时候还会掺杂一些水分,但是你见过实测比官方数字更漂亮的吗?台积电已在本月开始5nm工艺的试产,第二季度内投入规模量产,苹果A14、华为麒麟1020、AMDZen4等处理器都会使用它,而且消息称初期产能已经被客户完全包圆,尤其是苹果占了最大头。

    台积电尚未公布5nm工艺的具体指标,只知道会大规模集成EUV极紫外光刻技术,不过在一篇论文中披露了一张晶体管结构侧视图。

42

    WikiChips经过分析后估计,台积电5nm的栅极间距为48nm,金属间距则是30nm,鳍片间距25-26nm,单元高度约为180nm,照此计算,台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个。

    相比于初代7nm的每平方毫米9120万个,这一数字增加了足足88%,而台积电官方宣传的数字是84%。

    虽然这些年摩尔定律渐渐失效,虽然台积电的工艺经常面临质疑,但不得不佩服台积电的推进速度,要知道16nm工艺量产也只是不到5年前的事情,那时候的晶体管密度才不过每平方毫米2888万个,5nm已经是它的几乎六倍!

    另外,台积电10nm工艺的晶体管密度为每平方毫米5251万个,5nm是它的近3.3倍。

412

责任编辑:杨见芳

声明:本网站中,来源标明为“ 慧聪电子网”的文章,转载请标明出处。

欢迎投稿,邮箱:yusy@hc360.com

活动推荐

更多

2019中国物联网产业大会

2019年11月27日

杭州·和达希尔顿逸林酒店

大会详情

友情链接

申请友情链接

赛迪网 RFID世界网电子信息产业网畅享网与非网电子产品世界威腾网慧聪家电网慧聪物联网

广州地址

广州市越秀区东风东路745号紫园商务大厦19楼

深圳地址

深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座2106

北京地址

北京市朝阳区小关东里10号院润宇大厦2层

关于我们 | 加入我们 | 我要投稿
| 寻求报道 | 申请合作

Copyright?2000-2014 hc360.com. All Rights Reserved
京ICP证010051号 海淀公安局网络备案编号:11010802015485