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富士通电子推出可在125℃高温下稳定运行的最新4Mbit FRAM

http://www.ec.hc360.com2020年07月28日18:09 来源:慧聪电子网T|T

    上海,2020年7月24日–富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型号为MB85RS4MTY的4MbitFRAM,其容量达到FRAM产品最  高水平,运作温度最  高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。

    这款全新FRAM是非易失性内存产品,在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数,工作电流低,是工业机器人和高级驾驶辅助系统(ADAS)等汽车应用的最  佳选择。

    FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,并已量产20多年,近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。

    自去年发布以来,2MbitFRAMMB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用,而MB85RS4MTY将其容量提高了一倍,达到4Mbit,满足更高容量的需求,配有SPI接口,工作电压为1.8V至3.6V。由于这款FRAM工作电流低,即使在125℃高温下,最大工作电流仅为4mA(运作频率50MHz),最大掉电模式电流为30µA,因此有助于降低环境敏感应用的功耗。

这款全新FRAM在-40℃至+125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数,适合某些需要实时数据记录的应用。例如,每0.03毫秒重写

一次数据,同一地址连续记录数据可达10年之久。

    这款FRAM产品采用业界标准8-pinSOP封装,可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外,还提供8-pinDFN(无引线双侧扁平)封装。

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                       图1:MB85RS4MTY8-pinDFN(顶部・底部)

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                                图2:FRAM应用实例

    富士通电子将继续提供内存产品和解决方案,满足市场和客户的未来需求。

    关键规格

    •组件型号:MB85RS4MT

    •容量(组态):4Mbit(512Kx8位)

    •接口:SPI(SerialPeripheralInterface)

    •运作频率:最  高50MHz

    •运作电压:1.8V-3.6V

    •运作温度范围:-40°C-+125°C

    •读/写耐久性:10兆次(1013次)

    •封装规格:8-pinDFN,8-pinSOP

    

责任编辑:刘婷婷

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