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三星自夸芯片制造工艺速度超越摩尔定律
http://www.hc360.com   2005年4月29日13时30分   慧聪网电子行业    

   

    今年是摩尔定律问世40周年,就在英特尔请出久未露面的Gordon Moore、忙于举办庆祝活动时,三星电子半导体部门总裁黄昌圭忙借机自夸,称三星在芯片制造工艺的改进速度上已经超越摩尔定律。

    摩尔定律最初于1965年发布时,曾预言芯片中晶体管数量每年就会增加1倍,1975年时修正为芯片内晶体管数量每2年倍增。

    对此,黄昌圭表示,三星在NAND型闪存(Flash)制造工艺的推进速度是每年倍增其容量。事实上,从三星陆续推出1Gb、2Gb、4Gb NAND型闪存的速度上来看,它的芯片制造工艺改进速度已经超越了摩尔定律预言的速度。

    4Gb NAND型闪存是三星刚刚发布的新品,明年它打算将NAND型闪存的容量推上8Gb。

    黄昌圭对三星电子芯片制造工艺的改进充满信息,他认为在不考虑供给、需求的前提下,三星的工艺可让NAND型闪存平均价格每年下滑40%。

    据了解,目前三星已是全球NAND型闪存市场的龙头,其市场占有率逼近60%,它对市场价格的操纵能力不言可喻。三星领先全球、首次以Fab 14的12英寸晶圆投产NAND型闪存,初期以0.07微米工艺量产,随后将导入0.06微米工艺,这让三星的利润空间足以应付产能过剩时可能出现的价格崩盘,就算这种情况出现,三星依然是大赢家。

    此外,三星曾在2004年11月通过美国媒体放出有意切入晶圆代工领域的消息,随后还曾在12月份三星半导体部门30周年庆上宣称未来6年将斥资240亿美元,把内存业务与LSI业务结合起来进行推进,争取让每年营收增长达到2位数。目前,除内存业务外,三星已经很少提及其他半导体业务的发展,三星到底会不会进入晶圆代工领域,目前仍是个谜。

 

 

 

 

 
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