世界物理学家 中国半导体物理学宗师
世界物理学家 中国半导体物理学宗师
世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一、中国科学院院士、2001年度 国家最高科学技术奖获得者,中国科学院半导体研究所名誉所长黄昆院士因病医治无效,于2005年7月6日16时18分在北京逝世,享年86岁。 
黄昆院士对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献,他从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射,以后被称为“黄散射”。
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全球电子半导体领域05年Q2风险投资创记录
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集成电路发明人辞世 曾经获诺贝尔物理奖
>>一生倾情物理学<<
曾与黄昆院士在一个研究室工作过的朱邦芬教授在谈到黄老年轻时期的求学之路时说:1945年8月,黄昆到英国布里斯托大学做了莫特的博士研究生,曾于1977年获诺贝尔物理学奖的莫特当时已是国际上著名的理论物理学家,他对许多物理问题有很深的洞察力,善于透过错综复杂的表面现象去把握本质,倾向于用简单的物理模型方法解决问题而不主张借助复杂的数学推导。在两年的研究生学习期间,黄昆先后完成了三篇论文,对后来物理科学的发展都深有影响,其中,第一篇论文提出了杂质或缺陷引起的漫散射,即后来被称的“黄漫散射”。
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>>本色人生<<
国家最高科技奖得
我国设立“黄昆奖”
>>学习贵在主动<<
黄昆认为,中学是打基础阶段,中学打的基础会影响一个人的一辈子。
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>>黄昆简介<<
黄昆,中科院院士,著名固体物理学家,浙江嘉兴人,1919年9月生于北京。中共党员。九三学社成员。1941年燕京大学物理系毕业。1945年获西南联合大学硕士学位。1945年留学英国,为固体物理学家、诺贝尔奖金获得者莫特教授的研究生。1947年获英国不列斯托大学物理博士学位。1948年任英国爱丁堡大学物理系、利物浦大学理论物理系研究员。1951年回国,1951至1977年在北京大学物理系任教授,1977年至1983年任中国科学院半导体研究所所长。自1983年至今,任名誉所长。
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